Power-MOSFET IRFS7430TRLPBF – N-Kanal – 40 V – 426 A – D²PAK

Power-MOSFET IRFS7430TRLPBF – N-Kanal – 40 V – 426 A – D²PAK

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Beschreibung

Power-MOSFET IRFS7430TRLPBF – N-Kanal – 40 V – 426 A – D²PAK – Infineon

Der IRFS7430TRLPBF von Infineon Technologies ist ein extrem leistungsfähiger N-Kanal Power-MOSFET im robusten D²PAK (TO-263) SMD-Gehäuse. Mit einem kontinuierlichen Drainstrom von bis zu 426 A, einem extrem niedrigen RDS(on) von nur 0,97 mΩ @ 10 V, 100 A und einer Verlustleistung bis 375 W ist dieser MOSFET perfekt für Hochstromanwendungen mit niedrigstem Leistungsverlust geeignet – z. B. in Motorsteuerungen, Akkumanagement, DC/DC-Wandlern oder Automotive-Stromverteilungen.

Technische Eckdaten:

  • Typ: IRFS7430TRLPBF

  • MOSFET-Typ: N-Kanal

  • Gehäuse: D²PAK / TO-263 (SMD)

  • Drain-Source-Spannung: 40 V

  • Dauer-Drainstrom (Id): 426 A

  • RDS(on): 0,97 mΩ @ 10 V, 100 A

  • Verlustleistung (Pd): 375 W

  • Gate-Ladung (Qg): 460 nC

  • Gate-Schwelle (Vgs(th)): 2,2 V

  • Eingangskapazität (Ciss): 14,24 nF

  • Rückkopplungskapazität (Crss): 1,46 nF

  • Temperaturbereich: –55 °C bis +175 °C

  • Kanäle: 1x N-Kanal

Dieser MOSFET bietet extrem niedrige Schaltverluste und hohe thermische Belastbarkeit – ideal für den professionellen Einsatz in Industrie, Automotive und Hochstrom-Power-Designs.

Dominik Ewers
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